Gas-source molecular beam epitaxy of electronic devices

被引：5

作者：

Beam, EA ^{[1
]}

Brar, B ^{[1
]}

Broekaert, TPE ^{[1
]}

Chau, HF ^{[1
]}

Liu, W ^{[1
]}

Seabaugh, AC ^{[1
]}

机构：

[1] TEXAS INSTRUMENTS INC, CORP R&D TECHNOL, DALLAS, TX 75265 USA

来源：

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONICS AND PHOTONICS | 1996年 / 421卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-421-3

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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