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Enhancement-mode p-channel GaAs MOSFETs on semi-insulating substrates
被引：53
作者：
Ren, F
Hong, MW
Hobson, WS
Kuo, JM
Lothian, JR
Mannaerts, JP
Kwo, J
Chen, YK
Cho, AY
机构：
来源：
IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996
|
1996年
关键词：
D O I：
10.1109/IEDM.1996.554137
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：943 / 945
页数：3
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