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Erbium doped silicon for light emitting devices
被引:23
作者
:
Michel, J
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139
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Michel, J
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1
]
Zheng, B
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MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139
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Zheng, B
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Palm, J
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MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139
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Palm, J
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Ouellette, E
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MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139
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Ouellette, E
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Gan, F
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MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139
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Gan, F
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Kimerling, LC
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MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139
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Kimerling, LC
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1
]
机构
:
[1]
MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139
来源
:
RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II
|
1996年
/ 422卷
关键词
:
D O I
:
10.1557/PROC-422-317
中图分类号
:
TB3 [工程材料学];
学科分类号
:
0805 ;
080502 ;
摘要
:
引用
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页码:317 / 324
页数:8
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