Erbium doped silicon for light emitting devices

被引：23

作者：

Michel, J ^{[1
]}

Zheng, B ^{[1
]}

Palm, J ^{[1
]}

Ouellette, E ^{[1
]}

Gan, F ^{[1
]}

Kimerling, LC ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,DEPT MAT SCI & ENGN,CAMBRIDGE,MA 02139

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-317

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：317 / 324

页数：8