An analysis and improvement of destruction immunity during reverse recovery for high voltage planar diodes under high dIrr/dt condition.

被引：16

作者：

Tomomatsu, Y ^{[1
]}

Suekawa, E ^{[1
]}

Enjyoji, T ^{[1
]}

Takeda, M ^{[1
]}

Kondoh, H ^{[1
]}

Hagino, H ^{[1
]}

Yamada, T ^{[1
]}

机构：

[1] FUKURYO SEMICON ENGN CORP,NISHI KU,FUKUOKA 81901,JAPAN

来源：

ISPSD '96 - 8TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS, PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/ISPSD.1996.509514

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：353 / 356

页数：4