Self-aligned thin emitter C-doped base InP/InGaAs/InP DHBT's for high speed digital and microwave IC applications

被引：2

作者：

Malik, RJ ^{[1
]}

Hamm, RA ^{[1
]}

Kopf, RF ^{[1
]}

Ryan, RW ^{[1
]}

Montgomery, RK ^{[1
]}

Lin, J ^{[1
]}

Humphrey, DA ^{[1
]}

Tate, A ^{[1
]}

Chen, YK ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T BELL LABS,LUCENT TECHNOL,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

1996 54TH ANNUAL DEVICE RESEARCH CONFERENCE DIGEST | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/DRC.1996.546307

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：40 / 41

页数：2