Novel gain cell with ferroelectric coplanar capacitor for high-density nonvolatile random-access memory

被引：3

作者：

Aoki, M ^{[1
]}

Takauchi, H ^{[1
]}

Tamura, H ^{[1
]}

机构：

[1] Fujitsu Labs Ltd, Atsugi, Kanagawa 24301, Japan

来源：

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - 1997, TECHNICAL DIGEST | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/IEDM.1997.650538

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：3