Gallium incorporation kinetics during GSMBE of GaN

被引：5

作者：

Jones, CR ^{[1
]}

Lei, T ^{[1
]}

Kaspi, R ^{[1
]}

Evans, KR ^{[1
]}

机构：

[1] WRIGHT STATE UNIV,RES CTR,DAYTON,OH 45435

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-395-141

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4