Er-doping of GaN and related alloys

被引：9

作者：

Pearton, SJ ^{[1
]}

Abernathy, CR ^{[1
]}

MacKenzie, JD ^{[1
]}

Schwartz, RN ^{[1
]}

Wilson, RG ^{[1
]}

Zavada, JM ^{[1
]}

Shul, RJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV FLORIDA,GAINESVILLE,FL 32611

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-47

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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页数：10

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