Real time measurement of epilayer strain using a simplified wafer curvature technique

被引：57

作者：

Floro, JA ^{[1
]}

Chason, E ^{[1
]}

Lee, SR ^{[1
]}

机构：

[1] SANDIA NATL LABS,ALBUQUERQUE,NM 87185

来源：

DIAGNOSTIC TECHNIQUES FOR SEMICONDUCTOR MATERIALS PROCESSING II | 1996年 / 406卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-406-491

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

页码：491 / 496

页数：6