Parametric study of compound semiconductor etching utilizing inductively coupled plasma source

被引：3

作者：

Constantine, C ^{[1
]}

Johnson, D ^{[1
]}

Barratt, C ^{[1
]}

Shul, RJ ^{[1
]}

McClellan, GB ^{[1
]}

Briggs, RD ^{[1
]}

Rieger, DJ ^{[1
]}

Karlicek, RF ^{[1
]}

Lee, JW ^{[1
]}

Pearton, SJ ^{[1
]}

机构：

[1] PLASMA THERM IP,ST PETERSBURG,FL 33716

来源：

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONICS AND PHOTONICS | 1996年 / 421卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-421-431

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：431 / 444

页数：14