Feasibility study of VLSI device layer transfer by CMP PETEOS direct bonding

被引：11

作者：

Tong, QY ^{[1
]}

Lee, TH ^{[1
]}

Kim, WJ ^{[1
]}

Tan, TY ^{[1
]}

Gosele, U ^{[1
]}

机构：

[1] MAX PLANCK INST MICROSTRUCT PHYS, HALLE, GERMANY

来源：

1996 IEEE INTERNATIONAL SOI CONFERENCE PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/SOI.1996.552481

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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