A 54GHz fmax implanted base 0.35μm single-polysilicon bipolar technology

被引：8

作者：

Niel, S ^{[1
]}

Rozeau, O ^{[1
]}

Ailloud, L ^{[1
]}

Hernandez, C ^{[1
]}

Llinares, P ^{[1
]}

Guillermet, M ^{[1
]}

Kirtsch, J ^{[1
]}

Monroy, A ^{[1
]}

de Pontcharra, J ^{[1
]}

Auvert, G ^{[1
]}

Blanchard, B ^{[1
]}

Mouis, M ^{[1
]}

Vincent, G ^{[1
]}

Chantre, A ^{[1
]}

机构：

[1] France Telecom, Ctr Natl Etud Telecommun, F-38243 Meylan, France

来源：

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - 1997, TECHNICAL DIGEST | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/IEDM.1997.650504

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

We report the fabrication of high performance single-polysilicon npn bipolar transistors using a low cost 200mm 0.35 mu m bipolar technology. The devices feature record cut-off frequency and maximum oscillation frequency of 35GHz and 54GHz respectively, comparable to state-of-the-art results from more complex double-polysilicon bipolar processes.

引用

页码：807 / 810

页数：4