A 0.13 μm DRAM technology for giga bit density stand-alone and embedded DRAMs

被引：30

作者：

Kim, KN ^{[1
]}

Chung, TY ^{[1
]}

Jeong, HS ^{[1
]}

Moon, JT ^{[1
]}

Park, YW ^{[1
]}

Jeong, GT ^{[1
]}

Lee, KH ^{[1
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Koh, GH ^{[1
]}

Shin, DW ^{[1
]}

Hwang, YS ^{[1
]}

Kwak, DW ^{[1
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Uh, HS ^{[1
]}

Ha, DW ^{[1
]}

Lee, JW ^{[1
]}

Shin, SH ^{[1
]}

Lee, MH ^{[1
]}

Chun, YS ^{[1
]}

Lee, JK ^{[1
]}

Park, BJ ^{[1
]}

Oh, JH ^{[1
]}

Lee, JG ^{[1
]}

Lee, SH ^{[1
]}

机构：

[1] Samsung Elect Co, Memory Dev Business, Technol Dev, Yongin City, Kyungki Do, South Korea

来源：

2000 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 2000年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.2000.852748

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

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页数：2