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Approximate models for resist processing effects
被引：98
作者：
Brunner, TA
[1
]
Ferguson, RA
[1
]
机构：
[1] IBM CORP,ADV SEMICOND TECHNOL CTR,HOPEWELL JCT,NY 12533
来源：
OPTICAL MICROLITHOGRAPHY IX
|
1996年
/
2726卷
关键词：
lithography;
simulation;
development;
linewidth;
bias;
diffusion;
process window;
resist processing;
lumped parameter model;
linewidth control;
D O I：
10.1117/12.240906
中图分类号：
O43 [光学];
学科分类号：
070207 ;
0803 ;
摘要：
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页码：198 / 207
页数：10
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