Material limitations to 193-nm lithographic system lifetimes

被引：25

作者：

Schenker, R ^{[1
]}

Piao, F ^{[1
]}

Oldham, WG ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV CALIF BERKELEY,ELECTR RES LAB,BERKELEY,CA 94720

来源：

OPTICAL MICROLITHOGRAPHY IX | 1996年 / 2726卷

关键词：

damage; fused silica; two-photon; color center; compaction; lithography; 193-nm; stress-birefringence;

D O I：

10.1117/12.240935

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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页数：9