未找到相关数据
Room temperature operation of Si single-electron memory with self-aligned floating dot gate
被引：18
作者：
Nakajima, A
Futatsugi, T
Kosemura, K
Fukano, T
Yokoyama, N
机构：
来源：
IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996
|
1996年
关键词：
D O I：
10.1109/IEDM.1996.554140
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
收藏
页码：952 / 954
页数：3
相关论文