rf MOSFET modeling accounting for distributed substrate and channel resistances with emphasis on the BSIM3v3 SPICE model

被引：76

作者：

Liu, W ^{[1
]}

Gharpurey, R ^{[1
]}

Chang, MC ^{[1
]}

Erdogan, U ^{[1
]}

Aggarwal, R ^{[1
]}

Mattia, JP ^{[1
]}

机构：

[1] Texas Instruments Inc, Dallas, TX 75265 USA

来源：

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - 1997, TECHNICAL DIGEST | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/IEDM.1997.650388

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：309 / 312

页数：4