Intrinsic and stress-induced traps in the direct tunneling current of 2.3-3.8nm oxides and unified characterization methodologies of sub-3nm oxides

被引：17

作者：

Liu, CT ^{[1
]}

Ghetti, A ^{[1
]}

Ma, Y ^{[1
]}

Alers, G ^{[1
]}

Chang, CP ^{[1
]}

Cheung, KP ^{[1
]}

Colonell, JI ^{[1
]}

Lai, WYC ^{[1
]}

Pai, CS ^{[1
]}

Liu, R ^{[1
]}

Vaidya, H ^{[1
]}

Clemens, JT ^{[1
]}

机构：

[1] AT&T Bell Labs, Lucent Technol, Murray Hill, NJ 07974 USA

来源：

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - 1997, TECHNICAL DIGEST | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/IEDM.1997.649470

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4