Multi-generation device fabrication by ArF lithography

被引：4

作者：

Mori, S ^{[1
]}

Morisawa, T ^{[1
]}

Matsuzawa, N ^{[1
]}

Kaimoto, Y ^{[1
]}

Endo, M ^{[1
]}

Matsuo, T ^{[1
]}

Takahashi, M ^{[1
]}

Naito, T ^{[1
]}

Naruse, Y ^{[1
]}

Kishimura, S ^{[1
]}

Takechi, S ^{[1
]}

Yamaguchi, A ^{[1
]}

Uematsu, M ^{[1
]}

Onodera, T ^{[1
]}

Nakazawa, K ^{[1
]}

Kamon, K ^{[1
]}

Tatsumi, T ^{[1
]}

Morishita, S ^{[1
]}

Kuhara, K ^{[1
]}

Ohfuji, T ^{[1
]}

Ogawa, T ^{[1
]}

Ohtsuka, H ^{[1
]}

Inoue, M ^{[1
]}

Sasago, M ^{[1
]}

机构：

[1] Assoc Super Adv Elect Technol, Yokohama Res Ctr, Totsuka Ku, Kanagawa 244, Japan

来源：

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - 1997, TECHNICAL DIGEST | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/IEDM.1997.650535

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：933 / 935

页数：3