Damascene integration of copper and ultra-low-k xerogel for high performance interconnects

被引：31

作者：

Zielinski, EM ^{[1
]}

Russell, SW ^{[1
]}

List, RS ^{[1
]}

Wilson, AM ^{[1
]}

Jin, C ^{[1
]}

Newton, KJ ^{[1
]}

Lu, JP ^{[1
]}

Hurd, T ^{[1
]}

Hsu, WY ^{[1
]}

Cordasco, V ^{[1
]}

Gopikanth, M ^{[1
]}

Korthuis, V ^{[1
]}

Lee, W ^{[1
]}

Cerny, G ^{[1
]}

Russell, NM ^{[1
]}

Smith, PB ^{[1
]}

O'Brien, S ^{[1
]}

Havemann, RH ^{[1
]}

机构：

[1] Texas Instruments Inc, Semicond Proc & Device Ctr, Dallas, TX 75265 USA

来源：

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - 1997, TECHNICAL DIGEST | 1997年

关键词：

D O I：

10.1109/IEDM.1997.650536

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：936 / 938

页数：3