The viability of conventional high NA KrP imaging for sub-0.25u lithography

被引：3

作者：

Farrell, T ^{[1
]}

Nunes, R ^{[1
]}

Campbell, R ^{[1
]}

Hoh, P ^{[1
]}

Samuels, D ^{[1
]}

Kirk, J ^{[1
]}

Conley, W ^{[1
]}

Iba, J ^{[1
]}

Shibata, T ^{[1
]}

机构：

[1] IBM CORP,ARMONK,NY 10504

来源：

OPTICAL MICROLITHOGRAPHY IX | 1996年 / 2726卷

关键词：

excimer laser; 0.6NA KrF lithography; step and scan; 200 nm lithography; depth of focus;

D O I：

10.1117/12.240943

中图分类号：

O43 [光学];

学科分类号：

070207 ; 0803 ;

摘要：

引用

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页数：8