Channel temperature measurement of GaAs devices using an atomic force microscope

被引：6

作者：

Anderson, WT ^{[1
]}

Mittereder, JA ^{[1
]}

Roussos, JA ^{[1
]}

机构：

[1] USN, Res Lab, Washington, DC 20375 USA

来源：

1999 GAAS RELIABILITY WORKSHOP, PROCEEDINGS | 1999年

关键词：

D O I：

10.1109/GAASRW.1999.874092

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

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