MBE growth of HgCdTe IR detector structures on Si substrates: Recent advances & future prospects

被引：6

作者：

deLyon, TJ ^{[1
]}

Rajavel, RD ^{[1
]}

Jensen, JE ^{[1
]}

Wu, OK ^{[1
]}

Vigil, JA ^{[1
]}

Johnson, SM ^{[1
]}

Cockrum, CA ^{[1
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Venzor, GM ^{[1
]}

机构：

[1] HUGHES RES LABS,MALIBU,CA 90265

来源：

INFRARED DETECTORS FOR REMOTE SENSING: PHYSICS, MATERIALS, AND DEVICES | 1996年 / 2816卷

关键词：

CdTe; CdTe/Si; focal-plane arrays (FPAs); heteroepitaxy; HgCdTe; HgCdTe/Si; hybrid reliability; infrared detectors; molecular-beam epitaxy (MBE);

D O I：

10.1117/12.255165

中图分类号：

TP7 [遥感技术];

学科分类号：

081102 ; 0816 ; 081602 ; 083002 ; 1404 ;

摘要：

引用

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