A new electrode technology for high-density nonvolatile ferroelectric (SrBi2Ta2O9) memories

被引：2

作者：

Jiang, B ^{[1
]}

Balu, V ^{[1
]}

Chen, TS ^{[1
]}

Kuah, SH ^{[1
]}

Lee, JC ^{[1
]}

Chu, PY ^{[1
]}

Jones, RE ^{[1
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Zurcher, P ^{[1
]}

Taylor, DJ ^{[1
]}

Kottke, ML ^{[1
]}

Gillespie, SJ ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV TEXAS,MICROELECTR RES CTR,AUSTIN,TX 78712

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY: DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIT.1996.507780

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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