Growth and optical properties of GaN grown by MBE on novel lattice-matched oxide substrates

被引:34
作者
Nicholls, JFH [1 ]
Gallagher, H [1 ]
Henderson, B [1 ]
TragerCowan, C [1 ]
Middleton, PG [1 ]
ODonnell, KP [1 ]
Cheng, TS [1 ]
Foxon, CT [1 ]
Chai, BHT [1 ]
机构
[1] UNIV STRATHCLYDE,DEPT PHYS,GLASGOW,LANARK,SCOTLAND
来源
GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷
关键词
D O I
10.1557/PROC-395-535
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
收藏
页码:535 / 539
页数:5
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