Structural defects in heteroepitaxial and homoepitaxial GaN

被引：37

作者：

LilientalWeber, Z ^{[1
]}

Ruvimov, S ^{[1
]}

Kisielowski, C ^{[1
]}

Chen, Y ^{[1
]}

Swider, W ^{[1
]}

Washburn, J ^{[1
]}

Newman, N ^{[1
]}

Gassmann, A ^{[1
]}

Liu, X ^{[1
]}

Schloss, L ^{[1
]}

Weber, ER ^{[1
]}

Grzegory, I ^{[1
]}

Bockowski, M ^{[1
]}

Jun, J ^{[1
]}

Suski, T ^{[1
]}

Pakula, K ^{[1
]}

Baranowski, J ^{[1
]}

Porowski, S ^{[1
]}

Amano, H ^{[1
]}

Akasaki, I ^{[1
]}

机构：

[1] LAWRENCE BERKELEY LAB,DIV MAT SCI,BERKELEY,CA 94720

来源：

GALLIUM NITRIDE AND RELATED MATERIALS | 1996年 / 395卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-395-351

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：351 / 362

页数：12