Nitrogen implanted high voltage, planar, 6H-SiC N+-P junction diodes

被引：5

作者：

Alok, D ^{[1
]}

Baliga, BJ ^{[1
]}

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,POWER SEMICOND RES CTR,RALEIGH,NC 27695

来源：

ISPSD '96 - 8TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS, PROCEEDINGS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/ISPSD.1996.509459

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：4