A deep sub-V, single power-supply SRAM cell with multi-VT, boosted storage node and dynamic load

被引：42

作者：

Itoh, K ^{[1
]}

Fridi, AR ^{[1
]}

Bellaouar, A ^{[1
]}

Elmasry, MI ^{[1
]}

机构：

[1] HITACHI LTD,CENT RES LAB,KOKUBUNJI,TOKYO 185,JAPAN

来源：

1996 SYMPOSIUM ON VLSI CIRCUITS - DIGEST OF TECHNICAL PAPERS | 1996年

关键词：

D O I：

10.1109/VLSIC.1996.507743

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：2