Neodymium and erbium implanted GaN

被引：26

作者：

Silkowski, E ^{[1
]}

Yeo, YK ^{[1
]}

Hengehold, RL ^{[1
]}

Goldenberg, B ^{[1
]}

Pomrenke, GS ^{[1
]}

机构：

[1] USAF,INST TECHNOL,WRIGHT PATTERSON AFB,OH 45433

来源：

RARE EARTH DOPED SEMICONDUCTORS II | 1996年 / 422卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-422-69

中图分类号：

TB3 [工程材料学];

学科分类号：

0805 ; 080502 ;

摘要：

引用

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