Dry etching of SiC for advanced device applications

被引：14

作者：

Flemish, JR ^{[1
]}

Xie, K ^{[1
]}

McLane, GF ^{[1
]}

机构：

[1] USA,RES LAB,PHYS SCI DIRECTORATE,FT MONMOUTH,NJ 07703

来源：

COMPOUND SEMICONDUCTOR ELECTRONICS AND PHOTONICS | 1996年 / 421卷

关键词：

D O I：

10.1557/PROC-421-153

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：153 / 164

页数：12