NEGATIVE RESISTANCE IN P-N JUNCTIONS UNDER AVALANCHE BREAKDOWN CONDITIONS .I.

被引：152

作者：

MISAWA, T

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1966.15647

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：137 / +

页数：1

相关论文

共 4 条

[1] GARTNER WW, 1960, TRANSISTORS PRINCIPL, P48
[2] GARTNER WW, 1960, TRANSISTORS PRINCIPL, P65
[3] A PROPOSED HIGH-FREQUENCY, NEGATIVE-RESISTANCE DIODE
READ, WT
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1958, 37 (02): : 401 - 446
[4] NEGATIVE RESISTANCE ARISING FROM TRANSIT TIME IN SEMICONDUCTOR DIODES
SHOCKLEY, W
[J]. BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1954, 33 (04): : 799 - 826