CORRECTION

被引：1

作者：

SEAGER, CH

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW LETTERS | 1980年 / 44卷 / 20期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.44.1365

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

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页码：1365 / 1365

页数：1

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共 1 条

[1] DIRECT MEASUREMENT OF ELECTRON-EMISSION FROM DEFECT STATES AT SILICON GRAIN-BOUNDARIES [J].

SEAGER, CH ;

PIKE, GE ;

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PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1979, 43 (07) :532-535