DIGITAL-SIMULATION OF MAGNETIC CZOCHRALSKI FLOW UNDER VARIOUS LABORATORY CONDITIONS FOR SILICON GROWTH

被引：24

作者：

LANGLOIS, WE

LEE, KJ

机构：

来源：

IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT | 1983年 / 27卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1147/rd.273.0281

中图分类号：

TP3 [计算技术、计算机技术];

学科分类号：

0812 ;

摘要：

引用

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页码：281 / 284

页数：4

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共 2 条

[1]

KIM KM, 1981, IBM TECH DISCLOSURE, V24, P3376

[2]

LANGLOIS WE, 1982, 2ND P INT C BOUND IN, P299