SELF-ANNIHILATION OF ANTIPHASE BOUNDARY IN GAAS ON SI(100) GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：102

作者：

KAWABE, M

UEDA, T

机构：

[1] Univ of Tsukuba, Sakura-mura, Jpn, Univ of Tsukuba, Sakura-mura, Jpn

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1987年 / 26卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.26.L944

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：L944 / L946

页数：3