ZUM AUFBAU DER SPERRSCHICHTEN IN KALTLEITENDEM BARIUMTITANAT

被引：20

作者：

HEYWANG, W

BRAUER, H

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(65)90044-4

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：129 / &

共 13 条

[1] EINBAU VON ANTIMON IN BARIUMTITANAT BATIO3 [J].

EBERSPRACHER, O .

[2]

GALLAGHER PK, 1963, J AMER CERAM SOC, V46

[3] BARIUMTITANAT ALS SPERRSCHICHTHALBLEITER [J].

HEYWANG, W .

[4] RESISTIVITY ANOMALY IN DOPED BARIUM TITANATE [J].

HEYWANG, W .

[5]

HEYWANG W, 1960, SOLID STATE PHYS ELE, V4, P877

[6]

HEYWANG W, 1961, EINFLUSS INNERER OBE, V15

[7]

HEYWANG W, 1963, Z ANGEW PHYS, V16, P1

[8] SOME ASPECTS OF SEMICONDUCTING BARIUM TITANATE [J].

JONKER, GH .

[9] PROPERTIES OF SEMICONDUCTIVE BARIUM TITANATES [J].

SABURI, O .

[10] PROCESSING OF POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT THERMISTORS [J].

SAUER, HA ;

FISHER, JR .