SI ETCHING WITH A HOT SF6 BEAM

被引：13

作者：

SUZUKI, K

NINOMIYA, K

NISHIMATSU, S

OKADA, O

机构：

[1] Hitachi Ltd, Tokyo, Jpn, Hitachi Ltd, Tokyo, Jpn

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS | 1986年 / 25卷 / 05期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.25.L373

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

SEMICONDUCTING SILICON

引用

页码：L373 / L375

页数：3