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CONDITIONS FOR OPTIMUM NOISE PERFORMANCE IN LF AMPLIFIERS EMPLOYING JUNCTION FETS
被引:3
作者
:
KNOTT, KF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KNOTT, KF
机构
:
来源
:
ELECTRONICS LETTERS
|
1968年
/ 4卷
/ 05期
关键词
:
D O I
:
10.1049/el:19680072
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:92 / &
相关论文
共 3 条
[1]
COMPARISON OF VARACTOR-DIODE AND JUNCTION-FET LOW-NOISE LF AMPLIFIERS
[J].
KNOTT, KF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KNOTT, KF
.
ELECTRONICS LETTERS,
1967,
3
(11)
:512
-&
[2]
LOW-FREQUENCY GENERATION NOISE IN JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS
[J].
LAURITZEN, PO
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
LAURITZEN, PO
.
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1965,
8
(01)
:41
-+
[3]
VANDERZIEL A, 1962, P IRE, V50, P1808
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共 3 条
[1]
COMPARISON OF VARACTOR-DIODE AND JUNCTION-FET LOW-NOISE LF AMPLIFIERS
[J].
KNOTT, KF
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
KNOTT, KF
.
ELECTRONICS LETTERS,
1967,
3
(11)
:512
-&
[2]
LOW-FREQUENCY GENERATION NOISE IN JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTORS
[J].
LAURITZEN, PO
论文数:
0
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0
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0
LAURITZEN, PO
.
SOLID-STATE ELECTRONICS,
1965,
8
(01)
:41
-+
[3]
VANDERZIEL A, 1962, P IRE, V50, P1808
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