THERMOELECTRIC EFFECTS IN SILICON MOSFETS IN HIGH MAGNETIC-FIELDS

被引：8

作者：

SMITH, RP

CLOSS, H

STILES, PJ

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0039-6028(84)90315-7

中图分类号：

O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];

学科分类号：

070304 ; 081704 ;

摘要：

引用

页码：246 / 248

页数：3

共 4 条

[1] OBSERVATION OF ANDERSON LOCALIZATION IN AN ELECTRON GAS [J].

CUTLER, M ;

MOTT, NF .

PHYSICAL REVIEW, 1969, 181 (03) :1336-&

[2] GENERAL EXPRESSION FOR THERMOELECTRIC POWER [J].

FRITZSCHE, H .

[3]

GIRVIN SM, 1982, J PHYS C SOLID STATE, V15, P1147, DOI 10.1088/0022-3719/15/32/006

ZAWADZKI, W ;

LASSNIG, R .