GAAS PERMEABLE BASE TRANSISTORS FABRICATED WITH 240-NM-PERIODICITY TUNGSTEN BASE GRATINGS

被引：6

作者：

NICHOLS, KB ^{[1
]}

MATHEWS, RH ^{[1
]}

HOLLIS, MA ^{[1
]}

BOZLER, CO ^{[1
]}

VERA, A ^{[1
]}

MURPHY, RA ^{[1
]}

机构：

[1] MIT,LINCOLN LAB,LEXINGTON,MA 02173

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/16.8872

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页数：1