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EFFICIENT SI PLANAR DOPING IN GAAS BY FLOW-RATE MODULATION EPITAXY
被引：47
作者：
KOBAYASHI, N
MAKIMOTO, T
HORIKOSHI, Y
机构：
来源：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS
|
1986年
/
25卷
/
09期
关键词：
D O I：
10.1143/JJAP.25.L746
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：L746 / L748
页数：3
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