NEW THIN-FILM ENCAPSULANT FOR ION-IMPLANTED GAAS

被引：18

作者：

SEALY, BJ ^{[1
]}

SURRIDGE, RK ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SURREY,DEPT ELECTR & ELECT ENGN,GUILDFORD,SURREY,ENGLAND

来源：

THIN SOLID FILMS | 1975年 / 26卷 / 02期

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(75)90157-1

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

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页码：L19 / L22

页数：4

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共 7 条

[1]

BELL EG, TO BE PUBLISHED

[2] EFFICIENT DOPING OF GAAS BY SE+ ION IMPLANTATION [J].

FOYT, AG ;

DONNELLY, JP ;

LINDLEY, WT .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1969, 14 (12) :372-&

[3]

HARRIS JS, 1972, ION IMPLANTATION SEM

[4]

HARRIS TR, UNPUBLISHED DATA

[5]

MULLER H, 1974, AUG P C ION IMPL OS

[6]

SEALY BJ, TO BE PUBLISHED

[7]

Woodcock Janet, COMMUNICATION