DISTRIBUTION OF 1/F NOISE IN AN EPITAXIAL GAAS-MESFET

被引：5

作者：

HASHIGUCHI, S

AOKI, N

OHKUBO, H

机构：

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1986年 / 29卷 / 07期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(86)90161-9

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：745 / 749

页数：5

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共 4 条

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