AUTOEPITAXY OF TELLURIUM USING VACUUM DEPOSITION

被引：1

作者：

SHIH, I

CHAMPNESS, CH

SEWELL, PB

DING, L

机构：

[1] NATL RES COUNCIL,DIV ELECT ENGN,OTTAWA K1A 0R1,ONTARIO,CANADA

[2] CHONGQING UNIV,DEPT RADIO ENGN,CHONGQING,PEOPLES R CHINA

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(84)90312-9

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：523 / 528

页数：6