HIGH-POWER OUTPUT, LOW THRESHOLD, INNER STRIPE GAINASP LASER DIODE ON A P-TYPE INP SUBSTRATE

被引：26

作者：

IMANAKA, K

HORIKAWA, H

MATOBA, A

KAWAI, Y

SAKUTA, M

机构：

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1984年 / 45卷 / 03期

关键词：

D O I：

10.1063/1.95173

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：282 / 283

页数：2

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共 1 条

[1]

NAKANO Y, 1981, ELECTRON LETT, V17, P782, DOI 10.1049/el:19810548