NEW SEMICONDUCTORS WITH NEW COMBINATIONS OF PROPERTIES

被引：35

作者：

GOODMAN, CHL

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0025-5408(85)90179-5

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：237 / 250

页数：14

共 38 条

[1]

ABRIKOSOV NK, 1971, IZV ANSSSR NEORG MAT, V7, P1053

[2]

ABRIKOSOV NK, 1969, IZV AN SSSR NM, V5, P797

[3]

[Anonymous], 1974, SOLID STATE PHYS

ARMSTRONG, DR .

THEORETICA CHIMICA ACTA, 1983, 64 (02) :137-152

BLAND, JA .

[6]

BURMEISTER A, 1967, T MET SOC AIME, V239, P408

CHIZHIKOV, VI ;

PANYUTIN, VL ;

PONEDELNIKOV, BE ;

ROZENSON, AE .

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 1981, 106 (01) :91-98

[8] CRYSTAL GROWTH OF SILICON ARSENIDE [J].

CHU, TL ;

KELM, RW ;

CH, SSC .

[9]

DATSENKO AM, 1981, T MOSK KHIM TEKH I, V120, P32

[10]

DEDOBA AS, 1918, SITZBER AKAD WISS 2A, V127, P1