ONE-STEP AND 2-STEP DISPLACEMENTS AT SILICON

被引:24
作者
SWAIN, CG
PORSCHKE, KR
AHMED, W
SCHOWEN, RL
机构
[1] MIT,DEPT CHEM,CAMBRIDGE,MA 02139
[2] UNIV KANSAS,DEPT CHEM,LAWRENCE,KS 66045
关键词
D O I
10.1021/ja00821a071
中图分类号
O6 [化学];
学科分类号
0703 ;
摘要
引用
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页码:4700 / 4702
页数:3
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