SINGLE EVENT UPSET DEPENDENCE ON TEMPERATURE OR AN NMOS/RESISTIVE-LOAD STATIC RAM

被引：9

作者：

STAPOR, WJ ^{[1
]}

JOHNSON, RL ^{[1
]}

XAPSOS, MA ^{[1
]}

FERNALD, KW ^{[1
]}

CAMPBELL, AB ^{[1
]}

BHUVA, BL ^{[1
]}

DIEHL, SE ^{[1
]}

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT ELECT & COMP ENGN,RALEIGH,NC 27695

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1986.4334650

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1610 / 1615

页数：6

共 12 条

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