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MOS FET EQUIVALENT CIRCUIT AT PINCH-OFF
被引:13
作者
:
TRELEAVEN, DH
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TRELEAVEN, DH
TROFIMENKOFF, FN
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TROFIMENKOFF, FN
机构
:
来源
:
PROCEEDINGS OF THE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS ENGINEERS
|
1966年
/ 54卷
/ 09期
关键词
:
D O I
:
10.1109/PROC.1966.5099
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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共 2 条
[1]
A SMALL-SIGNAL HIGH-FREQUENCY ANALYSIS OF INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
[J].
CANDLER, DB
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CANDLER, DB
;
JORDAN, AG
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JORDAN, AG
.
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS,
1965,
19
(02)
:181
-&
[2]
MCLACHLAN N., 1955, BESSEL FUNCTIONS ENG
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[1]
A SMALL-SIGNAL HIGH-FREQUENCY ANALYSIS OF INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
[J].
CANDLER, DB
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CANDLER, DB
;
JORDAN, AG
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JORDAN, AG
.
INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS,
1965,
19
(02)
:181
-&
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MCLACHLAN N., 1955, BESSEL FUNCTIONS ENG
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