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HIGH-PRESSURE STUDIES OF RESONANT TUNNELLING IN A GRADED PARAMETER SUPERLATTICE AND IN DOUBLE BARRIER STRUCTURES OF GAAS/AIAS
被引：15
作者：
PRITCHARD, R
KLIPSTEIN, PC
COUCH, NR
KERR, TM
ROBERTS, JS
MISTRY, P
SOYLU, B
STOBBS, WM
机构：
关键词：
D O I：
10.1088/0268-1242/4/9/009
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：754 / 764
页数：11
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