TRANSIENT-RESPONSE MODEL FOR EPITAXIAL TRANSISTORS

被引：22

作者：

LONG, DM ^{[1
]}

FLORIAN, JR ^{[1
]}

CASEY, RH ^{[1
]}

机构：

[1] GE,PHILADELPHIA,PA 19101

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1983年 / 30卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1983.4333095

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：4131 / 4134

页数：4

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共 5 条

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